200 MHz DRAM

결과: 134
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Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Industriall Temp, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Tape and Reel 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A) Tape and Reel 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Die, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C8M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,080
배수: 1,080

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C DDR1 Tray

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT 재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Reel