200 MHz DRAM

결과: 134
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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최대 클록 주파수
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조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz at CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
데이터시트
102재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
369재고 상태
480예상 2026-08-17
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
112재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
데이터시트
23재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
데이터시트
108재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
데이터시트
24재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
14,300주문 중
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
59재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
96재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
데이터시트
54재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
581예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
데이터시트
리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel