133 MHz DRAM

결과: 76
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
데이터시트
4,800예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS
데이터시트
22재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
데이터시트
240예상 2026-07-24
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SC Reel
Alliance Memory DRAM 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 108
배수: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32800K Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 108
배수: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel