Infineon DRAM

결과: 158
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies DRAM SPCM
338예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
520예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
2,500예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 676
배수: 676

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 676
배수: 676

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 676
배수: 676

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHA020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 338
배수: 338

Tray
Infineon Technologies S27KS0643GABHA023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 338
배수: 338

Tray