ISSI DRAM

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조직
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42VM16800H Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160D Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile - DDR 1 Gbit 32 bit 166 MHz BGA-90 32 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32320B Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz WBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32640A Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 166 MHz WBGA-90 64 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32640A Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

BGA-78
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

BGA-78
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Reel