ISSI DRAM

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조직
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42VM16800H Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 BGA-60 IS43DR81280C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR2 BGA-60 IS43DR81280C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR2 BGA-60 IS43DR81280C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR2 BGA-60 IS43DR81280C Reel
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500
BGA-200 Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

BGA-78
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SDRAM - DDR3L BGA-96 IS43TR16512AL Reel
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM
데이터시트
재고 없음
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit SOJ-42 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Reel