ISSI DRAM

결과: 1,807
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 171
배수: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS43TR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 BGA-78 IS43TR82560C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel