ISSI DRAM

결과: 1,807
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ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-54 IS43R16160F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 108
배수: 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F