ISSI DRAM

결과: 1,807
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR81024BL Reel
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 비재고 리드 타임 7 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 300 MHz WBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC36800 Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 348
배수: 348

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32160E Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Reel
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32160C Reel