ISSI DRAM

결과: 1,807
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16160B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16160B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS46DR16640C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR32160C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR32160C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS46R16160F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS46R16160F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS46R16160F