ISSI DRAM

결과: 1,807
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ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
214예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 87

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI IS42VM16400M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 4Mx16, 133Mhz, RoHS
2,088예상 2026-05-19
최소: 1
배수: 1
최대: 957

SDRAM Mobile 64 Mbit 16 bit 133 MHz 4 M x 16 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16400M
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
342주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 83

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
272예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 68

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI IS46QR16512A-083TBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
272예상 2026-07-13
최소: 1
배수: 1
최대: 46

BGA-96
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
347예상 2026-05-08
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
240예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 50

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
198예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1
최대: 66

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42RM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile BGA-90 IS42RM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 267Mhz at CL4, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel