IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 8465 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

870-WVH8M8BLL100B1LI

제조업체 번호:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

데이터시트:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩8,465.6	₩8,466
	₩7,888.4	₩78,884
	₩7,651.6	₩191,290
	₩7,622	₩381,100
	₩7,444.4	₩744,440
	₩7,133.6	₩1,783,400

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	HyperRAM
메모리 크기:	64 Mbit
데이터 버스 너비:	8 bit
최대 클록 주파수:	100 MHz
패키지/케이스:	TFGBA-24
조직:	8 M x 8
액세스 시간:	40 ns
공급 전압 - 최소:	2.7 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	IS66WVH8M8BLL
브랜드:	ISSI
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	480
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	35 mA
상표명:	HyperRAM
단위 중량:	84 mg

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문서 필터:

데이터시트

IS66WVH8M8BLL-100B1LI 데이터시트 (PDF)

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KRHTS:: 8542321020
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.