8 bit DRAM

결과: 352
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 256 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C128M8D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C AS4C128M8D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D3LB Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 8G, 1G X 8, 1.35V, 78-ball FBGA, 1866 Mhz, Automotive Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C1G8D3LA Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industriall Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Automotive Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Reel