|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
- S80KS2564GACHB040
- Infineon Technologies
-
260:
₩15,124
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB040
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 260
배수: 260
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
200 MHz
|
FBGA-49
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42RM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,664.8
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42RM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42RM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42SM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,668
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42SM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42SM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42RM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩16,811.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42RM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42RM32160E
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42SM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩15,914.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42SM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42SM32160E
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩48,123.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩43,274.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩48,138.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062TBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,115.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,024
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL06T2BLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32160E-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩11,977.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32160E75BLIR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42RM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32800K-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩9,971.2
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32800K75BLIT
|
ISSI
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
256 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
8 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42RM32800K
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-6BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩25,657.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42S32160F-6BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,182.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-6TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩19,790.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6TLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
- IS42S32160F-6TL-TR
- ISSI
-
1,500:
₩14,896
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6TLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
167 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42S32160F-75EBL
- ISSI
-
240:
₩15,762.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42S32160F-75EBLI
- ISSI
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240:
₩17,343.2
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비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLI
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ISSI
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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비재고 리드 타임 16 주
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최소: 240
배수: 240
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SDRAM
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512 Mbit
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32 bit
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133 MHz
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BGA-90
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16 M x 32
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6 ns
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3 V
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3.6 V
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- 40 C
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+ 85 C
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IS42S32160F
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Reel
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-75EBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,082.4
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLIT
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ISSI
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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비재고 리드 타임 16 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM
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512 Mbit
|
32 bit
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133 MHz
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BGA-90
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16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
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- 40 C
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+ 85 C
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IS42S32160F
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Reel
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
- IS42S32160F-75EBL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,182.4
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLTR
|
ISSI
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
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비재고 리드 타임 16 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM
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512 Mbit
|
32 bit
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133 MHz
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BGA-90
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16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
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3.6 V
|
0 C
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+ 70 C
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IS42S32160F
|
Reel
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
- IS42S32160F-75ETL
- ISSI
-
108:
₩15,017.6
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETL
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ISSI
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
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비재고 리드 타임 16 주
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₩15,017.6
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₩15,002.4
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최소: 108
배수: 108
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SDRAM
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512 Mbit
|
32 bit
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133 MHz
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TSOP-II-86
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16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
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3.6 V
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0 C
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+ 70 C
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IS42S32160F
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
- IS42S32160F-75ETLI
- ISSI
-
1:
₩29,837.6
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETLI
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
|
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비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩29,837.6
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₩27,664
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₩26,797.6
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₩25,536
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₩16,446.4
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₩16,431.2
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최소: 1
배수: 1
:
108
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SDRAM
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512 Mbit
|
32 bit
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133 MHz
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TSOP-II-86
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16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
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IS42S32160F
|
Reel, Cut Tape
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-75ETLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩18,772
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75ETLIT
|
ISSI
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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
|
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비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
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SDRAM
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
TSOP-II-86
|
16 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IS42S32160F
|
Reel
|
|
대한민국
