|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
- IS45S32400J-6TLA2
- ISSI
-
1:
₩13,816.8
-
리드 타임 24 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32400J6TLA2
신제품
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
|
|
리드 타임 24 주
|
|
|
₩13,816.8
|
|
|
₩12,859.2
|
|
|
₩12,464
|
|
|
₩12,160
|
|
|
₩11,871.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
128 Mbit
|
32 bit
|
166 MHz
|
TSOP-II-86
|
4 M x 32
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
- IM24G32L4JCBG-046
- Intelligent Memory
-
1:
₩46,998.4
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM24G32L4JCBG046
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
|
₩46,998.4
|
|
|
₩43,532.8
|
|
|
₩42,149.6
|
|
|
₩41,131.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩40,112.8
|
|
|
₩38,760
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
24 Gbit
|
32 bit
|
2.133 GHz
|
FBGA-200
|
768 M x 32
|
|
600 mV
|
1.8 V
|
- 20 C
|
+ 85 C
|
LPDDR4x
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
- IM6432SDBABG-6I
- Intelligent Memory
-
1:
₩7,113.6
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM6432SDBABG-6I
|
Intelligent Memory
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
|
₩7,113.6
|
|
|
₩6,642.4
|
|
|
₩6,444.8
|
|
|
₩6,292.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩6,140.8
|
|
|
₩5,836.8
|
|
|
₩5,745.6
|
|
|
₩5,593.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
64 Mbit
|
32 bit
|
166 MHz
|
FBGA-90
|
2 M x 32
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
IM6432SD
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
- IM8G32L4JCBG-046
- Intelligent Memory
-
1:
₩41,420
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM8G32L4JCBG-046
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
|
₩41,420
|
|
|
₩38,334.4
|
|
|
₩37,118.4
|
|
|
₩36,206.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩35,036
|
|
|
₩34,488.8
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
8 Gbit
|
32 bit
|
2.133 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 32
|
|
600 mV
|
1.8 V
|
- 20 C
|
+ 85 C
|
LPDDR4x
|
Tray
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
- IM24G32L4JCBG-046I
- Intelligent Memory
-
120:
₩43,563.2
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
822-M24G32L4JCBG046I
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
|
₩43,563.2
|
|
|
₩42,104
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 120
배수: 120
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
24 Gbit
|
32 bit
|
2.133 GHz
|
FBGA-200
|
768 M x 32
|
|
600 mV
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
LPDDR4x
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c
- C3222PM4CDGUI-U
- Kingston
-
1:
₩325,903.2
-
비재고 리드 타임 24 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
524-C3222PM4CDGUI-U
신제품
|
Kingston
|
DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
|
₩325,903.2
|
|
|
₩300,184.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 20
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
32 Gbit
|
32 bit
|
|
FBGA-200
|
1024 M x 32
|
|
1.7 V
|
1.95 V
|
- 25 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
- C3222PM4CDGUIW-U
- Kingston
-
1:
₩263,978.4
-
리드 타임 24 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
524-C3222PM4CDGUIW-U
신제품
|
Kingston
|
DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
|
|
리드 타임 24 주
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 20
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
32 Gbit
|
32 bit
|
1.86 GHz
|
FBGA-200
|
1024 M x 32
|
3.5 ns
|
1.1 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
- D1621PM4CDGUI-U
- Kingston
-
1:
₩143,898.4
-
리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
524-D1621PM4CDGUI-U
|
Kingston
|
DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
|
|
리드 타임 24 주
|
|
|
₩143,898.4
|
|
|
₩132,726.4
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 20
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
16 Gbit
|
32 bit
|
1.866 GHz
|
FBGA-200
|
512 M x 32
|
|
1.1 V
|
1.8 V
|
- 25 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
- D1621PM4CDGUIW-U
- Kingston
-
1:
₩157,669.6
-
리드 타임 24 주
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
524-D1621PM4CDGUIW-U
Mouser의 신규
|
Kingston
|
DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
|
|
리드 타임 24 주
|
|
|
₩157,669.6
|
|
|
₩143,275.2
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 20
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
16 Gbit
|
32 bit
|
1.86 GHz
|
FBGA-200
|
512 M x 32
|
3.5 ns
|
1.1 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
- IME4G32L4HABG-062I
- Intelligent Memory
-
1:
₩70,801.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IME4G32L4HABG62I
|
Intelligent Memory
|
DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩70,801.6
|
|
|
₩65,451.2
|
|
|
₩63,338.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
IME4G32L4
|
Tray
|
|
|
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
- IME8G32L4HADG-062I
- Intelligent Memory
-
68:
₩156,225.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IME8G32L4HADG62I
|
Intelligent Memory
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 68
배수: 68
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
8 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
FBGA-200
|
256 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
IME8G32L4
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
- S80KS2564GACHA043
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩11,886.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHA043
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
200 MHz
|
FBGA-49
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
- S80KS2564GACHB040
- Infineon Technologies
-
260:
₩13,801.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB040
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 260
배수: 260
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
200 MHz
|
FBGA-49
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42RM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩15,473.6
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42RM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42RM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42SM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,668
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42SM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42SM32160E
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42RM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩16,811.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42RM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.3 V
|
3 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42RM32160E
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42SM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩15,914.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42SM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
|
SDRAM Mobile
|
512 Mbit
|
32 bit
|
133 MHz
|
BGA-90
|
16 M x 32
|
6 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
0 C
|
+ 70 C
|
IS42SM32160E
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS45S32400F-6BLA2
- ISSI
-
1:
₩24,137.6
-
비재고 리드 타임 4 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32400F6BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 4 주
|
|
|
₩24,137.6
|
|
|
₩22,374.4
|
|
|
₩21,675.2
|
|
|
₩20,656.8
|
|
|
₩20,140
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
128 Mbit
|
32 bit
|
166 MHz
|
BGA-90
|
4 M x 32
|
6 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IS45S32400F
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
4 Gbit
|
32 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 95 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩39,778.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA2T
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ISSI
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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비재고 리드 타임 40 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM - LPDDR4
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4 Gbit
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32 bit
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1.6 GHz
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BGA-200
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128 M x 32
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1.06 V
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1.17 V
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- 40 C
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+ 105 C
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Reel
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩43,274.4
-
비재고 리드 타임 40 주
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Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
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ISSI
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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비재고 리드 타임 40 주
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최소: 136
배수: 136
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SDRAM - LPDDR4X
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4 Gbit
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32 bit
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1.6 GHz
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BGA-200
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128 M x 32
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570 mV
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650 mV
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- 40 C
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+ 95 C
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Tray
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
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2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
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Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1T
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ISSI
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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비재고 리드 타임 40 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM - LPDDR4X
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4 Gbit
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32 bit
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1.6 GHz
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BGA-200
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128 M x 32
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570 mV
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650 mV
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- 40 C
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+ 95 C
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Reel
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩39,884.8
-
비재고 리드 타임 40 주
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Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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비재고 리드 타임 40 주
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최소: 136
배수: 136
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SDRAM - LPDDR4X
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4 Gbit
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32 bit
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1.6 GHz
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BGA-200
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128 M x 32
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570 mV
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650 mV
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- 40 C
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+ 105 C
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Tray
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DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062TBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩40,751.2
-
비재고 리드 타임 36 주
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Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLIT
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ISSI
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DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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비재고 리드 타임 36 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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SDRAM - LPDDR4X
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4 Gbit
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32 bit
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1.6 GHz
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BGA-200
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128 M x 32
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570 mV
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650 mV
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- 40 C
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+ 95 C
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|
Reel
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DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,024
-
재고 없음
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Mouser 부품 번호
870-32128AL06T2BLA2T
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ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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재고 없음
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최소: 2,500
배수: 2,500
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|
SDRAM - LPDDR4X
|
4 Gbit
|
32 bit
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1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 32
|
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570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
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+ 105 C
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|
Tray
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|
대한민국
