32 bit DRAM

결과: 357
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
데이터시트
제품 코멘트
73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
데이터시트
제품 코멘트
1,193재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 140S Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 4Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
데이터시트
364재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1232SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
데이터시트
139재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5132SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
데이터시트
194재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6432SD Tray
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
데이터시트
제품 코멘트
1,338재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C MT53E Tray
Micron DRAM LPDDR2 1Gbit 32 134/170 VFBGA 1 AT
데이터시트
제품 코멘트
975재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 533 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 105 C MT42L Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
210재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
Micron MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
데이터시트
제품 코멘트
1,310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 2 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
데이터시트
145재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 4G, 128M x 32, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
데이터시트
367재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
데이터시트
제품 코멘트
553재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C MT53E Tray
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 IT
데이터시트
제품 코멘트
269재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 110S Tray
Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA
제품 코멘트
202재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 256 M x 32 Reel, Cut Tape
Micron MT53E1G32D2FW-046 IT:B
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT
데이터시트
제품 코멘트
50재고 상태
1,360예상 2027-04-26
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
데이터시트
5재고 상태
120예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
데이터시트
109재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
데이터시트
108재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDR SDRAM
데이터시트
703재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 143MHz SDR SDRAM 3.3v
데이터시트
2,322재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32400F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
247재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
데이터시트
273재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
2,160재고 상태
9,120주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
480재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
960재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J