32 bit DRAM

결과: 357
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm)
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 5.4 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160D Tray
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel