32 bit Tray DRAM

결과: 126
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32800K Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 5.4 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT 재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Tray
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM 재고 없음
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 171
배수: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 256M, 8M X 32, 1.2V, 168-Ball POP FBGA Extended temp - Tray 비재고 리드 타임 35 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-168 8 M x 32 5.5 ns 1.2 V 1.8 V - 25 C + 85 C AS4C8M32MD2A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V, 144 BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 189
배수: 189

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 4M x 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 190
배수: 190
SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C AS4C64M32MD1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Industrial Temp - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M32MD1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C8M32S Tray
ISSI DRAM 256M (8Mx32) 166MHz SDR SDRAM 3.3v 재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800D Tray
Alliance Memory AS4C64M32MD4-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 64M x 32, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 680
배수: 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 64 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory AS4C512M32MD4V-053BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray