16 bit DRAM

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공급 전압 - 최대
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시리즈
포장
Kingston DRAM 16Gb LPDDR4 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gb 16 bit 2133 MHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston DRAM 16Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gb 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Micron MT60B1G16HD-64B IT:D
Micron DRAM DDR5 16Gbit 16 102/153 VFBGA 1 IT
데이터시트
재고 없음
최소: 1,020
배수: 1,020
SDRAM - DDR5 16 Gbit 16 bit 3.2 GHz VFBGA-102 1 G x 16 1.1 V 1.1 V - 40 C + 95 C
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 32 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 64 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Reel
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Reel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray