5 ns DRAM

결과: 93
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
348예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
1,200예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
324예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C8M32S Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
190예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C8M32SA Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
227예상 2026-06-02
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS4C8M16SA Reel
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M8SA Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63), T&R, B Die 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOPII, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz WBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32640A Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 32 bit 333 MHz LFBGA-144 16 M x 32 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R32160D Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 200Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Reel