-ar 메모리 IC

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Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP 리드 타임 7 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 1.8V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 1.8V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Segger Microcontroller 메모리 IC 개발 툴 NAND-Flash EvalBoard Atmel ARM Cortex-M3 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

Memory IC Development Tools
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C