PowerSaver 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 182
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin SOJ, RoHS 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOJ-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit