AT28C256 시리즈 EEPROM

결과: 65
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 200NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 200NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 200NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PGA-28 200 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
데이터시트
재고 없음
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk

Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP- 150NS IND TEMP
데이터시트
재고 없음
최소: 81
배수: 27

256 kbit Parallel 32 k x 8 SOIC-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 150NS CERDIP
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube