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ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
706예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1
최대: 206

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit

STMicroelectronics EEPROM 2-Kbit serial I2C Bus EEPROM 62,004재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 2 kbit 2-Wire, I2C

STMicroelectronics EEPROM 8 Kbit serial I2C Bus EEPROM 5,134재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 8 kbit 2-Wire, I2C

STMicroelectronics EEPROM 2-Kbit serial I2C Bus EEPROM 5,939재고 상태
28,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 4,000

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

STMicroelectronics EEPROM 4 Kbit serial I2C Bus EEPROM 4,026재고 상태
7,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 4 kbit 2-Wire, I2C

STMicroelectronics EEPROM 4 Kbit serial I2C Bus EEPROM 8,300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz at CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-144 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM 재고 없음
최소: 189
배수: 189

DRAM SMD/SMT BGA-144 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit