-ar 메모리 IC

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Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 32 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 16Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 5-SOT23, IND W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM SOT-23-5

Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 1.8V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 16Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, EXT W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SOIC-8
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, IND W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-UDFN, EXT W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

EEPROM SMD/SMT UDFN-8 4 kbit I2C
Microchip Technology EEPROM 16Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, IND W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SOIC-8
Microchip Technology EEPROM 16Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, IND W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
: 3,300

EEPROM SOIC-8
Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 1.8V SER EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 64 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 1.8V SERIAL EE IND 1/4AWP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 32 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, IND W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, EXT W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 4 kbit I2C
Microchip Technology EEPROM 16Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-TSSOP, EXT W/WHOLE ARRAY WP, AUTO 125C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 16 kbit I2C
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, EXT W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, EXT W/WHOLE ARRAY WP, AUTO 125C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 8 kbit I2C
Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EX 1/4AWP RPO 비재고 리드 타임 7 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 32 kbit 2-Wire, I2C