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IS43DR86400D-3DBL

ISSI

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Mouser 번호:

870-IS43DR86400D3DBL

제조업체 번호:

IS43DR86400D-3DBL

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2

라이프사이클:

NRND:

새로운 디자인에 권장되지 않습니다.

데이터시트:

IS43DR86400D-3DBL 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
타입:	SDRAM - DDR2
메모리 크기:	512 Mbit
데이터 버스 너비:	8 bit
최대 클록 주파수:	333 MHz
패키지/케이스:	BGA-60
조직:	64 M x 8
액세스 시간:	450 ps
공급 전압 - 최소:	1.7 V
공급 전압 - 최대:	1.9 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	IS43DR86400D
포장:	Bulk
브랜드:	ISSI
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	242
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	100 mA

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IS43DR86400D-3DBL 데이터시트 (PDF)

규정 준수 코드

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 불가능
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 타이완

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

주요 제품

ISSI

LPDDR4 및 LPDDR4X 모바일 SDRAM

2Gb, 4Gb 및 8Gb 밀도로 제공되는 저전압 메모리 장치로 모바일 애플리케이션에 이상적입니다.

LPDDR4 및 LPDDR4X 모바일 SDRAM 에 대해

512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM

8 뱅크 설정으로 내부적으로 구성된 고속 DRAM 장치입니다.

512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM 에 대해

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

DDR3 SDRAM 에 대해

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Pseudo SRAM/CellularRAM 에 대해

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

Mobile LPDDR2 SDRAM 에 대해

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,815.6	₩7,816
	₩7,285.2	₩72,852
	₩7,066.8	₩176,670
	₩6,910.8	₩345,540
	₩6,739.2	₩673,920
	₩3,775.2	₩913,598