8 Mbit 메모리 IC

결과: 680
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SRAM SMD/SMT SOIC-8 8 Mbit SPI
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-90 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit
Alliance Memory SRAM 8M, 3.3V, 10ns 1Mx8 Fast Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TFBGA-44 8 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 8 Mbit Parallel