8 Mbit 메모리 IC

결과: 680
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Alliance Memory SRAM 8M L-Power, 2.7-3.6V 512k x 16, 48pin 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SRAM SMD/SMT TSOP-I-48 8 Mbit Parallel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,365
배수: 455

MRAM SMD/SMT WSON-8 8 Mbit QSPI
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1,200
배수: 300

MRAM SMD/SMT SOIC-8 8 Mbit QSPI

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 8 Mbit SPI

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 8 Mbit SPI
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel