4 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND 플래시 4G 3.3V x8 NAND 플래시 Q100 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit SPI