2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 413
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI NOR 플래시 2Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade, new die 비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 재고 없음
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 재고 없음
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT WBGA-90 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT WBGA-90 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
Alliance Memory DRAM 2G 1.8V 128Mx16 400MHz DDR2 A-Temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, Industrial Temp - Tape & Rell 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2Gb, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, Industrial Temp A die, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit