2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 30 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI NOR 플래시 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI