2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형
카테고리 보기 변경
결과: 413
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT WBGA-90 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT WBGA-90 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
데이터시트
리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit