2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 413
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ISSI DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 비재고 리드 타임 8 주
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 128M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 2133MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
205예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tray 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 190
배수: 190
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI