2 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 413
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GigaDevice GD5F2GM7REYJGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F2GQ5REY2GR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F2GQ5UEY2GR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
Infineon Technologies S70GL02GS11FHA013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI023
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHV023
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS12FHIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS12FHIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 180
배수: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 360
배수: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 180
배수: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 360
배수: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NOR 플래시 2G 3V 110ns Parallel NOR 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 2 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit