CY14B nvSRAM

Infineon Technologies CY14B nvSRAM family brings together Fast SRAM and SONOS non-volatile into one ultra reliable line of products. Infineon Technologies nvSRAM devices are the journal memory of choice in over half of the RAID systems worldwide. 

결과: 38
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 598
배수: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

FBGA-48 CY14B104NA Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 216
배수: 216

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM Non Volatile SRAMs 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 3 V 35 mA - 40 C + 125 C CY14B104NA Tray