SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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최대 클록 주파수
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공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
8재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
데이터시트
93재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
13재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
데이터시트
30재고 상태
최소: 1
배수: 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
데이터시트
37재고 상태
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
31예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
45예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 14
배수: 14
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 14
배수: 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 14
배수: 14

72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 21
배수: 21
18 Mbit 256 k x 72 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 465 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 310 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165