DDR2 SDRAM

ISSI DDR2 SDRAM uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double-data-rate architecture is essentially a 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. ISSI DDR2 SDRAM has on-die termination (ODT) and programmable burst lengths of 4 or 8. The on-chip DLL aligns DQ and DQs transitions with CK transitions. 

결과: 53
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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 267Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16160B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 267Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16160B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16160B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16160B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray