Excelon™ F-RAM(Ferroelectric-RAM)

Cypress Semiconductor Excelon™ F-RAM(Ferroelectric-RAM)은 저전력 미션 크리티컬 비휘발성 메모리를 제공하는 차세대 F-RAM입니다. Excelon 시리즈는 초저전력 작동을 고속 인터페이스, 인스턴트 비휘발성, 무제한 읽기/쓰기 사이클 내구성과 결합한 제품입니다. 그 덕분에 Excelon은 휴대용 의료 기기, 웨어러블 기기, IoT 센서, 산업 및 자동차용 애플리케이션에 이상적인 데이터 로깅 메모리가 됩니다. Excelon-LP, Excelon-Ultra, Excelon-Auto의 세 가지 다른 Excelon 제품군이 있습니다.

결과: 65
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 인터페이스 타입 최대 클록 주파수 조직 패키지/케이스 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies CY15B102QSN-108SXI
Infineon Technologies F램 FRAM 205재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit Quad SPI 108 MHz 256 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tube

Infineon Technologies F램 FRAM Excelon Auto 90재고 상태
2,350예상 2026-04-02
최소: 1
배수: 1

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15V102 Tube
Infineon Technologies F램 FRAM Excelon Ultra 65재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit Quad SPI 108 MHz 512 k x 8 GQFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B104 Tray
Infineon Technologies F램 Excelon LP 40 MHz 8-GQFN 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit SPI 40 MHz 1 M x 8 GQFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B108 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM Excelon Ultra 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit Quad SPI 108 MHz 512 k x 8 GQFN-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C CY15V104 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit Quad SPI 108 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies F램 FRAM
960예상 2026-11-05
최소: 1
배수: 1

16 Mbit Quad SPI 108 MHz 2 M x 8 FBGA-24 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray

Infineon Technologies F램 Excelon LP 40 MHz 8-EIAJ
888주문 중
최소: 1
배수: 1

8 Mbit SPI 40 MHz 1 M x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B108 Tube
Infineon Technologies CY15B102QN-50SXI
Infineon Technologies F램 FRAM
696예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

108 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

40 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

50 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

20 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,900
배수: 4,900

40 MHz UFLGA-8 Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit SPI 108 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B104 Reel
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit SPI 108 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C CY15V104 Reel
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B104 Reel
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 960
배수: 960

8 Mbit SPI 50 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 SOIC-8 1.71 V 1.89 V - 40 C + 125 C CY15V102 Reel
Infineon Technologies F램 FRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 960
배수: 960

8 Mbit SPI 50 MHz 1 M x 8 FBGA-24 1.71 V 1.89 V - 40 C + 85 C Tray