NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
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최고 작동온도
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 125 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
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4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
데이터시트
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최소: 84
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4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 135 mA, 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
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최소: 1
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4 Mbit 128 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 135 mA, 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
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최소: 1
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4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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최소: 1
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4 Mbit 128 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray