NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

결과: 1,613
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp
데이터시트
48재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
8예상 2026-03-20
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 비재고 리드 타임 6 주
최소: 18
배수: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 18
배수: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 250MHz, Industrial Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 500 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 18 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 305 mA, 380 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 440 mA, 600 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray