NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 350 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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최소: 36
배수: 36

18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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최소: 1
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18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 175 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18 Mbit 512 k x 32 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray