S25FL MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory

Infineon Technologies S25FL128S/S25FL256S MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory devices employ MIRRORBIT technology that stores two data bits in each memory array transistor. These Infineon devices feature 65nm process lithography as well as Eclipse architecture that dramatically improves program and erase performance. Infineon S25FL128S and S25FL256S Flash Non-Volatile Memory devices offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of embedded applications. They are ideal for code shadowing, XIP, and data storage.

결과: 317
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Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,380
배수: 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel