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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Micron MT52L256M64D2LZ-107 WT:B
Micron DRAM LPDDR3 16Gbit 64 216/841 WFBGA 2 WT
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1,005재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR3 16 Gbit 64 bit 933 MHz FBGA-216 256 M x 64 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 30 C + 85 C MT52L256M64D2LZ Tray
Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 CT
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164재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.91 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C MT41K Tray
Micron DRAM DDR2 1Gbit 16 84/135TFBGA 1 IT
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199재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C MT47H Tray
Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 UT
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212재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.75 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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553재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C MT53E Tray
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 IT
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219재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 110S Tray
Micron DRAM SDRAM 128Mbit 16 54/54 TSOP 1 CT
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188재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM 128 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C MT48LC Tray
Micron DRAM SDRAM 64Mbit 32 90/135 VFBGA 1 IT
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3재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM 64 Mbit 32 bit 167 MHz VFBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C MT48LC Tray