Synchronous SRAM

Infineon Technologies Synchronous SRAM offers true random memory access capabilities required for networking and other high-performance applications. The Infineon Synchronous SRAM portfolio is available with several features designed to solve networking and high-performance computing challenges. The portfolio includes standard synchronous SRAM, No Bus Latency SRAM, and QDR® SRAM with various speeds, word widths, densities, and packages. Infineon Synchronous SRAM devices are ideal for many applications, including high-speed network switches & routers, communications infrastructure, test equipment, imaging and video, and high-performance computing.

결과: 113
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Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 133MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 810 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 750 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 750 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 990 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 680 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 680 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 136
배수: 136

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 640 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 640 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray