Synchronous SRAM

Infineon Technologies Synchronous SRAM offers true random memory access capabilities required for networking and other high-performance applications. The Infineon Synchronous SRAM portfolio is available with several features designed to solve networking and high-performance computing challenges. The portfolio includes standard synchronous SRAM, No Bus Latency SRAM, and QDR® SRAM with various speeds, word widths, densities, and packages. Infineon Synchronous SRAM devices are ideal for many applications, including high-speed network switches & routers, communications infrastructure, test equipment, imaging and video, and high-performance computing.

결과: 113
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공급 전압 - 최소
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최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 300Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 760 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.01 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 DDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.8v, 360Mhz (8Mx18) QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 360 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.025 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 16M x 9 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 16 M x 9 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 950 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 400Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.17 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 105
배수: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.29 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 550hz 1.8V 2M x 36 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 940 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.9v 550MHz DDR II SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (4Mx36) QDR II 1.8V, 250MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 830 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,050
배수: 1,050

144 Mbit 16 M x 9 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

36 Mbit 1 M x 36 2.5 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

36 Mbit 1 M x 36 3.2 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray