MirrorBit Eclipse 플래시 메모리

Cypress   / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™ 플래시 메모리는 15ns의 빠른 페이지 액세스 타임을 제공합니다. 이것은 100ns 만큼 빠른 랜덤 액세스 타임을 갖고 있습니다. 이 장치의 특징은 쓰기 버퍼로서 한 작업에서 최대 256단어/512바이트의 프로그래밍을 허용합니다. 이로 인해 표준 프로그래밍 알고리즘보다 더 빠른 효과적인 프로그래밍 시간을 실현할 수 있습니다. 이것은 이 장치들을 더 높은 밀도, 더 나은 성능, 더 낮은 전력 소비를 요구하는 오늘날의 임베디드 애플리케이션에 이상적으로 만들어 줍니다.
자세히 알아보기

결과: 167
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
시리즈
메모리 크기
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
능동 읽기 전류 - 최대
인터페이스 타입
조직
데이터 버스 너비
타이밍 타입
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
포장
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV40
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,800
배수: 1,800

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV43
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,600
배수: 1,600
릴: 1,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFB023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV33
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV30
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV10
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,600
배수: 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV20
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,600
배수: 2,600

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV23
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV10
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,600
배수: 1,600
릴: 1,600
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,600
배수: 1,600
릴: 1,600
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,600
배수: 1,600
릴: 1,600
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,600
배수: 1,600
릴: 1,600
없음
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel