3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

결과: 86
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패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
재고 없음
최소: 108
배수: 108

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray