3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

결과: 86
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
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138재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 17

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS
데이터시트
339재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
데이터시트
769재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 139

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
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100재고 상태
585예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 151

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
443재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS
데이터시트
283재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM Mobile 64 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16400M
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
데이터시트
53재고 상태
108예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 32

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
53재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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3재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
데이터시트
348예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
최대: 91

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
1,219주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 276

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
1,440예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 615

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
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347예상 2026-05-08
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
240예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 50

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 108
배수: 108
릴: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500
SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel