S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

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Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SMD/SMT FBGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 676
배수: 676
SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 676
배수: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,380
배수: 3,380

SMD/SMT FBGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 A&D
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT FBGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 676
배수: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel