Renesas Electronics 메모리 IC

결과: 1,002
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Renesas Electronics SRAM 32K X 16K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 18 DP 비재고 리드 타임 18 주
최소: 24
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 1024Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 3

SRAM SMD/SMT CABGA-256 36 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

SRAM SMD/SMT CABGA-208 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 18 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 18 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 18 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256K X 72 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 20
배수: 1

SRAM SMD/SMT PBGA-324 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 18 ASYNC DP RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 120
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 9 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

SRAM SMD/SMT CABGA-256 18 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram 비재고 리드 타임 18 주
최소: 108
배수: 18

SRAM SMD/SMT PLCC-68 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16Kx8, 128K 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 32Kx8, 256K, 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM TQFP-80
Renesas Electronics SRAM 64Kx8, 512K, 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit
Renesas Electronics SRAM 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit
Renesas Electronics SRAM 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 270
배수: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 128 kbit Parallel