Renesas Electronics 메모리 IC

결과: 1,002
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Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,PLCC,IND TEMP,120NS,PB FREE,T& 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM CMOS, 32 LEAD PLCC, IND., 90NS, PB FREE 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS, PB F 비재고 리드 타임 18 주
최소: 300
배수: 300

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS,T&R,P 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.TEMP,120NS, PB FREE 비재고 리드 타임 18 주
최소: 75
배수: 75

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel

Renesas Electronics SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 310
배수: 310

SRAM SMD/SMT SOIC-24 16 kbit Parallel

Renesas Electronics SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOIC-24 16 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 90
배수: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 108
배수: 18

SRAM SMD/SMT PLCC-68 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-64 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 48
배수: 6

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit
Renesas Electronics SRAM 4KX9 SYNC DUAL PORT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 90
배수: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-64 36 kbit
Renesas Electronics SRAM 4K X 16 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4K X 16 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 90
배수: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 4K X 16 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 64 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K X 16 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8K X 16 DP SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 128 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 90
배수: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 32K X 16K 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 64KX16 5V ASYNC DPRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 1 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 8k x 18 Dual-Port 5V RAM 9pF Cin 비재고 리드 타임 18 주
최소: 108
배수: 3

SRAM